Продукція > TOSHIBA > TPHR9203PL1,LQ(M
TPHR9203PL1,LQ(M

TPHR9203PL1,LQ(M TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.88 грн
500+45.44 грн
1000+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPHR9203PL1,LQ(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 320A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPHR9203PL1,LQ(M за ціною від 41.88 грн до 113.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPHR9203PL1,LQ(M TPHR9203PL1,LQ(M Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.89 грн
11+81.29 грн
100+54.88 грн
500+45.44 грн
1000+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.