Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPN11003NL,LQ
TPN11003NL,LQ

TPN11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TPN11003NL_datasheet_en_20140218.pdf?did=14013&prodName=TPN11003NL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.19 грн
10+46.44 грн
100+30.39 грн
500+22.03 грн
1000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPN11003NL,LQ за ціною від 15.60 грн до 83.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN11003NL,LQ TPN11003NL,LQ Виробник : Toshiba TPN11003NL_datasheet_en_20140218-1915959.pdf MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.86 грн
10+51.19 грн
100+29.28 грн
500+22.66 грн
1000+18.98 грн
3000+16.63 грн
6000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPN11003NL,LQ TPN11003NL,LQ Виробник : Toshiba 432tpn11003nl_datasheet_en_20140218.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN11003NL,LQ TPN11003NL,LQ Виробник : Toshiba 432tpn11003nl_datasheet_en_20140218.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN11003NL,LQ TPN11003NL,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN11003NL_datasheet_en_20140218.pdf?did=14013&prodName=TPN11003NL Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.