Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPN11003NL,LQ
TPN11003NL,LQ

TPN11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TPN11003NL_datasheet_en_20140218.pdf?did=14013&prodName=TPN11003NL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 2612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.33 грн
10+ 36.3 грн
100+ 25.11 грн
500+ 19.68 грн
1000+ 16.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPN11003NL,LQ за ціною від 14.55 грн до 46.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPN11003NL,LQ TPN11003NL,LQ Виробник : Toshiba TPN11003NL_datasheet_en_20140218-1915959.pdf MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.34 грн
10+ 40.31 грн
100+ 24.23 грн
500+ 20.23 грн
1000+ 17.22 грн
3000+ 15.36 грн
6000+ 14.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
TPN11003NL,LQ TPN11003NL,LQ Виробник : Toshiba 432tpn11003nl_datasheet_en_20140218.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товар відсутній
TPN11003NL,LQ TPN11003NL,LQ Виробник : Toshiba 432tpn11003nl_datasheet_en_20140218.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товар відсутній
TPN11003NL,LQ TPN11003NL,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN11003NL_datasheet_en_20140218.pdf?did=14013&prodName=TPN11003NL Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
товар відсутній