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Технічний опис TPN11006NL,LQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TPN11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 30W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm.
Інші пропозиції TPN11006NL,LQ(S за ціною від 61.22 грн до 61.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
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TPN11006NL,LQ(S | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPN11006NL,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPN11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 30W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
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TPN11006NL,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPN11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 30W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| TPN11006NL,LQ(S |
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Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 61.22 грн |
| TPN11006NL,LQ(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
Description: TOSHIBA - TPN11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: Y-EX
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
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термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPN11006NL,LQ(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
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Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
Description: TOSHIBA - TPN11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Bauform - Transistor: TSON
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Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)