Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPN11006NL,LQ
TPN11006NL,LQ

TPN11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=14108&prodName=TPN11006NL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.88 грн
10+ 53.12 грн
100+ 40.69 грн
500+ 30.19 грн
1000+ 24.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TPN11006NL,LQ за ціною від 19.82 грн до 63.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPN11006NL,LQ TPN11006NL,LQ Виробник : Toshiba TPN11006NL_datasheet_en_20140227-1915973.pdf MOSFET U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET
на замовлення 8133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.81 грн
10+ 55.98 грн
100+ 33.16 грн
500+ 27.68 грн
1000+ 23.58 грн
3000+ 21.4 грн
6000+ 19.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
TPN11006NL,LQ TPN11006NL,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14108&prodName=TPN11006NL Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
товар відсутній