Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPN11006PL,LQ
TPN11006PL,LQ

TPN11006PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TPN11006PL_datasheet_en_20160920.pdf?did=54662&prodName=TPN11006PL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 30 V
на замовлення 10022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.24 грн
10+ 33.97 грн
100+ 23.52 грн
500+ 18.44 грн
1000+ 15.7 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN11006PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TPN11006PL,LQ за ціною від 13.02 грн до 43.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPN11006PL,LQ TPN11006PL,LQ Виробник : Toshiba TPN11006PL_datasheet_en_20160920-1568578.pdf MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 56990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.94 грн
10+ 37.81 грн
100+ 22.72 грн
500+ 19 грн
1000+ 16.21 грн
3000+ 13.75 грн
6000+ 13.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
TPN11006PL,LQ TPN11006PL,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006PL_datasheet_en_20160920.pdf?did=54662&prodName=TPN11006PL Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 30 V
товар відсутній