Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPN1110ENH,L1Q
TPN1110ENH,L1Q

TPN1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPN1110ENH_datasheet_en_20140227.pdf?did=14596&prodName=TPN1110ENH Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+42.12 грн
10000+ 38.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V.

Інші пропозиції TPN1110ENH,L1Q за ціною від 39.97 грн до 106.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPN1110ENH,L1Q TPN1110ENH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH_datasheet_en_20140227.pdf?did=14596&prodName=TPN1110ENH Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 34738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.88 грн
10+ 84.22 грн
100+ 65.52 грн
500+ 52.12 грн
1000+ 42.46 грн
2000+ 39.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPN1110ENH,L1Q TPN1110ENH,L1Q Виробник : Toshiba TPN1110ENH_datasheet_en_20140227-1150917.pdf MOSFET UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV
товар відсутній