Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPN1200APL,L1Q
TPN1200APL,L1Q

TPN1200APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPN1200APL_datasheet_en_20191018.pdf?did=59362&prodName=TPN1200APL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V
на замовлення 3623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.50 грн
10+54.97 грн
100+36.21 грн
500+26.42 грн
1000+23.99 грн
2000+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN1200APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TPN1200APL,L1Q за ціною від 20.11 грн до 95.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN1200APL,L1Q TPN1200APL,L1Q Виробник : Toshiba TPN1200APL_datasheet_en_20191018-2401229.pdf MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.04 грн
10+58.83 грн
100+33.98 грн
500+26.57 грн
1000+22.16 грн
2500+21.87 грн
5000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1200APL,L1Q TPN1200APL,L1Q Виробник : Toshiba tpn1200apl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 66A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1200APL,L1Q TPN1200APL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN1200APL_datasheet_en_20191018.pdf?did=59362&prodName=TPN1200APL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.