Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPN13008NH,L1Q
TPN13008NH,L1Q

TPN13008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=13537&prodName=TPN13008NH Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.72 грн
10+62.29 грн
100+42.74 грн
500+33.24 грн
1000+30.33 грн
2000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN13008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V.

Інші пропозиції TPN13008NH,L1Q за ціною від 25.68 грн до 89.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN13008NH,L1Q TPN13008NH,L1Q Виробник : Toshiba ACAFCB1ACECCB402F6D82A7C1633CC35B53EE4CAC33255903630EFBB99E19572.pdf MOSFETs U-MOSVIII-H 80V 40A 18nC MOSFET
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.62 грн
10+67.64 грн
100+40.37 грн
500+34.12 грн
1000+30.27 грн
2500+29.37 грн
5000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q TPN13008NH,L1Q Виробник : Toshiba tpn13008nh_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q TPN13008NH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13537&prodName=TPN13008NH Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.