на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.63 грн |
| 10+ | 61.61 грн |
| 100+ | 36.77 грн |
| 500+ | 31.08 грн |
| 1000+ | 27.58 грн |
| 2500+ | 26.75 грн |
| 5000+ | 23.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPN13008NH,L1Q Toshiba
Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V.
Інші пропозиції TPN13008NH,L1Q за ціною від 28.70 грн до 104.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPN13008NH,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V |
на замовлення 1758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TPN13008NH,L1Q | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
TPN13008NH,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |