Продукція > TOSHIBA > TPN1600ANH,L1Q
TPN1600ANH,L1Q

TPN1600ANH,L1Q Toshiba

TPN1600ANH_datasheet_en_20191018-1916138.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 42W 1230pF 36A 100V
на замовлення 19647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.45 грн
10+61.53 грн
100+36.28 грн
500+29.85 грн
1000+25.64 грн
2500+24.88 грн
5000+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN1600ANH,L1Q Toshiba

Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TPN1600ANH,L1Q за ціною від 25.12 грн до 99.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN1600ANH,L1Q TPN1600ANH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13538&prodName=TPN1600ANH Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.37 грн
10+60.36 грн
100+40.00 грн
500+29.34 грн
1000+26.70 грн
2000+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1Q TPN1600ANH,L1Q Виробник : Toshiba tpn1600anh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 8-Pin TSON Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1Q TPN1600ANH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13538&prodName=TPN1600ANH Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.