TPN1600ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 26.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPN1600ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V.
Інші пропозиції TPN1600ANH,L1Q за ціною від 26.14 грн до 104.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPN1600ANH,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V |
на замовлення 5875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TPN1600ANH,L1Q | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 42W 1230pF 36A 100V |
на замовлення 24660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TPN1600ANH,L1Q | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 8-Pin TSON Advance T/R |
товару немає в наявності |