Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPN19008QM,LQ
TPN19008QM,LQ

TPN19008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=68568&prodName=TPN19008QM Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.21 грн
10+51.54 грн
100+24.44 грн
500+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN19008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V.

Інші пропозиції TPN19008QM,LQ за ціною від 18.15 грн до 83.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN19008QM,LQ TPN19008QM,LQ Виробник : Toshiba 4237393543453638464135373942364533333438393435343242324541433638.pdf MOSFETs PD=57W F=1MHZ
на замовлення 67436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.12 грн
10+55.95 грн
100+23.04 грн
1000+22.52 грн
3000+19.20 грн
6000+18.68 грн
9000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPN19008QM,LQ TPN19008QM,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68568&prodName=TPN19008QM Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.