TPN1R603PL,L1Q

TPN1R603PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage


TPN1R603PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=54484&prodName=TPN1R603PL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.40 грн
10000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN1R603PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPN1R603PL,L1Q за ціною від 24.07 грн до 94.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN1R603PL,L1Q TPN1R603PL,L1Q Виробник : Toshiba TPN1R603PL_datasheet_en_20191018-1075448.pdf MOSFETs N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W
на замовлення 27196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.92 грн
10+59.01 грн
100+38.86 грн
500+32.98 грн
1000+26.79 грн
2500+25.20 грн
5000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1R603PL,L1Q TPN1R603PL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN1R603PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=54484&prodName=TPN1R603PL Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 34363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.69 грн
10+59.66 грн
100+40.51 грн
500+31.17 грн
1000+26.38 грн
2000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.