Продукція > TOSHIBA > TPN2R203NC,L1Q(M
TPN2R203NC,L1Q(M

TPN2R203NC,L1Q(M TOSHIBA

3934829.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.01 грн
500+44.81 грн
1000+37.61 грн
5000+30.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN2R203NC,L1Q(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPN2R203NC,L1Q(M за ціною від 23.13 грн до 113.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN2R203NC,L1Q(M TPN2R203NC,L1Q(M Виробник : Toshiba tpn2r203nc_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
205+60.59 грн
307+40.43 грн
330+37.63 грн
331+36.19 грн
500+28.25 грн
1000+25.61 грн
5000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 205
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q(M TPN2R203NC,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3934829.pdf Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.35 грн
12+76.86 грн
100+54.01 грн
500+44.81 грн
1000+37.61 грн
5000+30.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q(M TPN2R203NC,L1Q(M Виробник : Toshiba tpn2r203nc_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.