Продукція > TOSHIBA > TPN2R203NC,L1Q(M
TPN2R203NC,L1Q(M

TPN2R203NC,L1Q(M TOSHIBA

3934829.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.50 грн
500+36.18 грн
1000+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN2R203NC,L1Q(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPN2R203NC,L1Q(M за ціною від 22.69 грн до 102.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN2R203NC,L1Q(M TPN2R203NC,L1Q(M Виробник : Toshiba tpn2r203nc_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
205+59.44 грн
307+39.66 грн
330+36.92 грн
331+35.51 грн
500+27.71 грн
1000+25.12 грн
5000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 205
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q(M TPN2R203NC,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3934829.pdf Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+102.24 грн
13+64.96 грн
100+47.50 грн
500+36.18 грн
1000+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q(M TPN2R203NC,L1Q(M Виробник : Toshiba tpn2r203nc_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.