Продукція > TOSHIBA > TPN2R203NC,L1Q
TPN2R203NC,L1Q

TPN2R203NC,L1Q Toshiba

tpn2r203nc_datasheet_en_20191030.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN2R203NC,L1Q Toshiba

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPN2R203NC,L1Q за ціною від 32.91 грн до 133.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN2R203NC,L1Q TPN2R203NC,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R203NC_datasheet_en_20191030.pdf?did=13938&prodName=TPN2R203NC Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q TPN2R203NC,L1Q Виробник : Toshiba tpn2r203nc_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q TPN2R203NC,L1Q Виробник : Toshiba TPN2R203NC_datasheet_en_20191030-1915945.pdf MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V
на замовлення 16680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.77 грн
10+76.40 грн
100+46.70 грн
500+41.29 грн
1000+34.74 грн
2500+33.60 грн
5000+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q TPN2R203NC,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R203NC_datasheet_en_20191030.pdf?did=13938&prodName=TPN2R203NC Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.51 грн
10+81.42 грн
100+54.59 грн
500+40.45 грн
1000+36.97 грн
2000+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q TPN2R203NC,L1Q Виробник : Toshiba tpn2r203nc_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.