Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPN2R203NC,L1Q
TPN2R203NC,L1Q

TPN2R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=13938&prodName=TPN2R203NC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN2R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPN2R203NC,L1Q за ціною від 32.08 грн до 116.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPN2R203NC,L1Q TPN2R203NC,L1Q Toshiba tpn2r203nc_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q TPN2R203NC,L1Q Toshiba tpn2r203nc_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q TPN2R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13938&prodName=TPN2R203NC Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 5921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.23 грн
10+71.16 грн
100+47.68 грн
500+35.32 грн
1000+32.29 грн
2000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q TPN2R203NC,L1Q Toshiba ADD620540143CFA9F31D659B6F779DAF91C2757E5D2C7F2D5250CB59BA1AB2DF.pdf MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V
на замовлення 12804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q tpn2r203nc_datasheet_en_20191030.pdf
TPN2R203NC,L1Q
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q tpn2r203nc_datasheet_en_20191030.pdf
TPN2R203NC,L1Q
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q docget.jsp?did=13938&prodName=TPN2R203NC
TPN2R203NC,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 5921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.23 грн
10+71.16 грн
100+47.68 грн
500+35.32 грн
1000+32.29 грн
2000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q ADD620540143CFA9F31D659B6F779DAF91C2757E5D2C7F2D5250CB59BA1AB2DF.pdf
TPN2R203NC,L1Q
Виробник: Toshiba
MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V
на замовлення 12804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.