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Технічний опис TPN2R304PL,L1Q(M Toshiba
Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2300 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 104W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.
Інші пропозиції TPN2R304PL,L1Q(M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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TPN2R304PL,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2300 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 104W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm |
на замовлення 21345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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TPN2R304PL,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2300 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 104W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm |
на замовлення 21345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| TPN2R304PL,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2300 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2300 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 21345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPN2R304PL,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2300 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2300 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 21345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)