на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 132+ | 92.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPN2R304PL,L1Q(M Toshiba
Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0023 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TPN2R304PL,L1Q(M за ціною від 65.58 грн до 274.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPN2R304PL,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0023 ohm, TSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 11520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TPN2R304PL,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0023 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 11520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TPN2R304PL,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R |
товару немає в наявності |