Продукція > TOSHIBA > TPN2R304PL,L1Q(M
TPN2R304PL,L1Q(M

TPN2R304PL,L1Q(M TOSHIBA

3622647.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.12 грн
500+28.78 грн
1000+21.53 грн
5000+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN2R304PL,L1Q(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPN2R304PL,L1Q(M за ціною від 21.11 грн до 92.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN2R304PL,L1Q(M TPN2R304PL,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3622647.pdf Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.36 грн
14+57.72 грн
100+39.12 грн
500+28.78 грн
1000+21.53 грн
5000+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PL,L1Q(M TPN2R304PL,L1Q(M Виробник : Toshiba tpn2r304pl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
132+92.59 грн
Мінімальне замовлення: 132
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PL,L1Q(M TPN2R304PL,L1Q(M Виробник : Toshiba tpn2r304pl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.