Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPN2R304PL,L1Q
TPN2R304PL,L1Q

TPN2R304PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=30264&prodName=TPN2R304PL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V
на замовлення 3424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.13 грн
10+54.95 грн
100+36.70 грн
500+27.69 грн
1000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN2R304PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V.

Інші пропозиції TPN2R304PL,L1Q за ціною від 24.06 грн до 92.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN2R304PL,L1Q TPN2R304PL,L1Q Виробник : Toshiba TPN2R304PL_datasheet_en_20191018-1916429.pdf MOSFETs 40 Volt N-Channel
на замовлення 43063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.70 грн
10+63.88 грн
100+37.08 грн
250+36.71 грн
500+29.21 грн
1000+24.42 грн
2500+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PL,L1Q
Код товару: 194006
Додати до обраних Обраний товар

docget.jsp?did=30264&prodName=TPN2R304PL Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PL,L1Q TPN2R304PL,L1Q Виробник : Toshiba tpn2r304pl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PL,L1Q TPN2R304PL,L1Q Виробник : Toshiba tpn2r304pl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PL,L1Q TPN2R304PL,L1Q Виробник : Toshiba tpn2r304pl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PL,L1Q TPN2R304PL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30264&prodName=TPN2R304PL Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.