на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 272+ | 45.56 грн |
| 317+ | 39.04 грн |
| 334+ | 37.05 грн |
| 500+ | 33.40 грн |
| 1000+ | 29.05 грн |
| 5000+ | 24.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPN2R703NL,L1Q(M Toshiba
Description: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TPN2R703NL,L1Q(M за ціною від 37.08 грн до 93.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPN2R703NL,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TPN2R703NL,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TPN2R703NL,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R |
товару немає в наявності |