TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.12 грн |
| 10+ | 61.10 грн |
| 100+ | 42.80 грн |
| 500+ | 34.82 грн |
| 1000+ | 32.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції TPN2R703NL,L1Q за ціною від 27.43 грн до 123.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPN2R703NL,L1Q | Виробник : Toshiba |
MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V |
на замовлення 19881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|