Продукція > TOSHIBA > TPN2R703NL,L1Q
TPN2R703NL,L1Q

TPN2R703NL,L1Q Toshiba

tpn2r703nl_datasheet_en_20191030.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+59.96 грн
10000+59.62 грн
15000+59.28 грн
20000+56.84 грн
25000+52.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN2R703NL,L1Q Toshiba

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPN2R703NL,L1Q за ціною від 28.45 грн до 96.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN2R703NL,L1Q TPN2R703NL,L1Q Виробник : Toshiba tpn2r703nl_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+64.57 грн
10000+64.21 грн
15000+63.84 грн
20000+61.21 грн
25000+56.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1Q TPN2R703NL,L1Q Виробник : Toshiba TPN2R703NL_datasheet_en_20191030-1916220.pdf MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
на замовлення 20005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.70 грн
10+73.52 грн
25+61.58 грн
100+44.80 грн
250+44.73 грн
500+37.23 грн
1000+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1Q TPN2R703NL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R703NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14267&prodName=TPN2R703NL Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.29 грн
10+62.53 грн
100+43.77 грн
500+33.21 грн
1000+30.63 грн
2000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1Q TPN2R703NL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R703NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14267&prodName=TPN2R703NL Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.