| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 74.35 грн |
| 10000+ | 73.94 грн |
| 15000+ | 73.51 грн |
| 20000+ | 70.48 грн |
| 25000+ | 64.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPN2R703NL,L1Q Toshiba
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції TPN2R703NL,L1Q за ціною від 31.92 грн до 76.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPN2R703NL,L1Q | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TPN2R703NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TPN2R703NL,L1Q | Toshiba |
MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V |
на замовлення 17780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TPN2R703NL,L1Q |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 74.35 грн |
| 10000+ | 73.94 грн |
| 15000+ | 73.51 грн |
| 20000+ | 70.48 грн |
| 25000+ | 64.88 грн |
| TPN2R703NL,L1Q |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 76.97 грн |
| 10+ | 59.45 грн |
| 100+ | 41.64 грн |
| 500+ | 33.88 грн |
| 1000+ | 31.92 грн |
| TPN2R703NL,L1Q |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
на замовлення 17780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)