Продукція > TOSHIBA > TPN2R703NL,L1Q
TPN2R703NL,L1Q

TPN2R703NL,L1Q Toshiba

tpn2r703nl_datasheet_en_20191030.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+66.90 грн
10000+66.53 грн
15000+66.15 грн
20000+63.42 грн
25000+58.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN2R703NL,L1Q Toshiba

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPN2R703NL,L1Q за ціною від 31.14 грн до 140.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN2R703NL,L1Q TPN2R703NL,L1Q Виробник : Toshiba tpn2r703nl_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+71.68 грн
10000+71.28 грн
15000+70.88 грн
20000+67.95 грн
25000+62.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1Q TPN2R703NL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14267&prodName=TPN2R703NL Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.38 грн
10+66.71 грн
100+46.73 грн
500+38.02 грн
1000+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1Q TPN2R703NL,L1Q Виробник : Toshiba 8150AC1474E5A6AFC1F9510834351BFC48F011405E25271E9BCC58EC69260AE7.pdf MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
на замовлення 19881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.68 грн
10+88.44 грн
100+51.11 грн
500+40.33 грн
1000+36.65 грн
2500+34.66 грн
5000+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1Q TPN2R703NL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14267&prodName=TPN2R703NL Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.