Продукція > TOSHIBA > TPN2R805PL,L1Q(M
TPN2R805PL,L1Q(M

TPN2R805PL,L1Q(M TOSHIBA


3934831.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2R805PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 139 A, 0.0022 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.59 грн
500+32.01 грн
1000+29.12 грн
5000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN2R805PL,L1Q(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPN2R805PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 139 A, 0.0022 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 139A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPN2R805PL,L1Q(M за ціною від 28.62 грн до 102.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN2R805PL,L1Q(M TPN2R805PL,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3934831.pdf Description: TOSHIBA - TPN2R805PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 139 A, 0.0022 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+102.09 грн
14+63.43 грн
100+42.59 грн
500+32.01 грн
1000+29.12 грн
5000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.