Продукція > TOSHIBA > TPN2R805PL,L1Q
TPN2R805PL,L1Q

TPN2R805PL,L1Q Toshiba

939E744EFDC8FA6F0B5F982DF9A13926459CCAF7BBC48CEAD7275B01DEB39E1C.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs U-MOSIX-H 45V 139A 39nC MOSFET
на замовлення 6535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.44 грн
10+61.07 грн
100+35.73 грн
500+29.26 грн
1000+24.91 грн
2500+24.46 грн
5000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN2R805PL,L1Q Toshiba

Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V.

Інші пропозиції TPN2R805PL,L1Q за ціною від 24.84 грн до 100.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN2R805PL,L1Q TPN2R805PL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=53831&prodName=TPN2R805PL Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V
на замовлення 4661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.54 грн
10+61.42 грн
100+40.66 грн
500+29.80 грн
1000+27.11 грн
2000+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R805PL,L1Q TPN2R805PL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=53831&prodName=TPN2R805PL Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.