на замовлення 14655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.48 грн |
| 10+ | 68.47 грн |
| 100+ | 46.03 грн |
| 500+ | 36.30 грн |
| 1000+ | 32.00 грн |
| 3000+ | 28.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPN30008NH,LQ Toshiba
Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V.
Інші пропозиції TPN30008NH,LQ за ціною від 28.20 грн до 105.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPN30008NH,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V |
на замовлення 2735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TPN30008NH,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |