TPN30008NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.06 грн |
| 10+ | 61.63 грн |
| 100+ | 40.93 грн |
| 500+ | 30.03 грн |
| 1000+ | 27.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPN30008NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V.
Інші пропозиції TPN30008NH,LQ за ціною від 27.85 грн до 124.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPN30008NH,LQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch 80V 22A 27W UMOSVIII 710pF 11nC |
на замовлення 4766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|