Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPN3300ANH,LQ
TPN3300ANH,LQ

TPN3300ANH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TPN3300ANH_datasheet_en_20140218.pdf?did=13091&prodName=TPN3300ANH Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+23.75 грн
6000+ 21.78 грн
9000+ 20.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN3300ANH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TPN3300ANH,LQ за ціною від 20.84 грн до 62.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPN3300ANH,LQ TPN3300ANH,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN3300ANH_datasheet_en_20140218.pdf?did=13091&prodName=TPN3300ANH Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 13758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.91 грн
10+ 45.23 грн
100+ 35.18 грн
500+ 27.99 грн
1000+ 22.8 грн
Мінімальне замовлення: 6
TPN3300ANH,LQ TPN3300ANH,LQ Виробник : Toshiba TPN3300ANH_datasheet_en_20140218-1139997.pdf MOSFET N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC
на замовлення 31684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.15 грн
10+ 50.31 грн
100+ 34.03 грн
500+ 28.77 грн
1000+ 23.44 грн
3000+ 21.31 грн
6000+ 20.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
TPN3300ANH,LQ Виробник : Toshiba 319tpn3300anh_datasheet_en_20140218.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R
товар відсутній
TPN3300ANH,LQ TPN3300ANH,LQ Виробник : Toshiba 319tpn3300anh_datasheet_en_20140218.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R
товар відсутній
TPN3300ANH,LQ TPN3300ANH,LQ Виробник : Toshiba 319tpn3300anh_datasheet_en_20140218.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R
товар відсутній