Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPN3300ANH,LQ
TPN3300ANH,LQ

TPN3300ANH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=13091&prodName=TPN3300ANH Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.33 грн
6000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN3300ANH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TPN3300ANH,LQ за ціною від 24.70 грн до 108.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN3300ANH,LQ TPN3300ANH,LQ Виробник : Toshiba BFA8DCC4FFFA19CFF5D8BF15119E4DE1D6E1C255E2EB4F21C3B63BE27D2E3B65.pdf MOSFETs N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC
на замовлення 23129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.43 грн
10+55.54 грн
100+32.86 грн
500+29.09 грн
3000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3300ANH,LQ TPN3300ANH,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13091&prodName=TPN3300ANH Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 10359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.81 грн
10+66.59 грн
100+44.49 грн
500+32.88 грн
1000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3300ANH,LQ TPN3300ANH,LQ Виробник : Toshiba 319tpn3300anh_datasheet_en_20140218.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3300ANH,LQ TPN3300ANH,LQ Виробник : Toshiba 319tpn3300anh_datasheet_en_20140218.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.