Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPN3R704PL,L1Q
TPN3R704PL,L1Q

TPN3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPN3R704PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=30643&prodName=TPN3R704PL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+17.82 грн
10000+ 15.89 грн
25000+ 15.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V.

Інші пропозиції TPN3R704PL,L1Q за ціною від 16.76 грн до 51.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPN3R704PL,L1Q TPN3R704PL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN3R704PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=30643&prodName=TPN3R704PL Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 34201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+49.83 грн
10+ 41.31 грн
100+ 28.6 грн
500+ 22.43 грн
1000+ 19.09 грн
2000+ 17 грн
Мінімальне замовлення: 6
TPN3R704PL,L1Q TPN3R704PL,L1Q Виробник : Toshiba TPN3R704PL_datasheet_en_20191030-1916470.pdf MOSFET 40 Volt N-Channel
на замовлення 4071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+51.41 грн
10+ 44.22 грн
100+ 27.24 грн
500+ 22.9 грн
1000+ 17.49 грн
2500+ 17.42 грн
5000+ 16.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
TPN3R704PL,L1Q Виробник : Toshiba tpn3r704pl_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin TSON Advance
товар відсутній