TPN4R806PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=55571&prodName=TPN4R806PL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN4R806PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA, Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TPN4R806PL,L1Q за ціною від 23.81 грн до 93.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPN4R806PL,L1Q TPN4R806PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55571&prodName=TPN4R806PL Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V
на замовлення 9228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.91 грн
10+56.93 грн
100+37.75 грн
500+27.71 грн
1000+25.22 грн
2000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R806PL,L1Q TPN4R806PL,L1Q Toshiba A080D8DB7C83F39C60E2B47BCBA4345B15F86C3FC8A6F9534A1D56BD131A8820.pdf MOSFETs TSON N-CH 60V 72A
на замовлення 4605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R806PL,L1Q docget.jsp?did=55571&prodName=TPN4R806PL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V
на замовлення 9228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.91 грн
10+56.93 грн
100+37.75 грн
500+27.71 грн
1000+25.22 грн
2000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R806PL,L1Q A080D8DB7C83F39C60E2B47BCBA4345B15F86C3FC8A6F9534A1D56BD131A8820.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs TSON N-CH 60V 72A
на замовлення 4605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.