Продукція > TOSHIBA > TPN5900CNH,L1Q(M
TPN5900CNH,L1Q(M

TPN5900CNH,L1Q(M TOSHIBA

3622650.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.91 грн
500+34.71 грн
1000+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN5900CNH,L1Q(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 39W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPN5900CNH,L1Q(M за ціною від 31.97 грн до 96.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN5900CNH,L1Q(M TPN5900CNH,L1Q(M Виробник : Toshiba 505docget.jsplangenpidtpn5900cnhtypedatasheet.jsplangenpidtpn5900cnh.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
233+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5900CNH,L1Q(M TPN5900CNH,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3622650.pdf Description: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.56 грн
13+65.36 грн
100+43.91 грн
500+34.71 грн
1000+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5900CNH,L1Q(M TPN5900CNH,L1Q(M Виробник : Toshiba 505docget.jsplangenpidtpn5900cnhtypedatasheet.jsplangenpidtpn5900cnh.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.