Продукція > TOSHIBA > TPN6R003NL,LQ(S
TPN6R003NL,LQ(S

TPN6R003NL,LQ(S TOSHIBA


3934839.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0052 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.47 грн
500+40.79 грн
1000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN6R003NL,LQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPN6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0052 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPN6R003NL,LQ(S за ціною від 32.28 грн до 100.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN6R003NL,LQ(S TPN6R003NL,LQ(S Виробник : TOSHIBA 3934839.pdf Description: TOSHIBA - TPN6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0052 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.41 грн
12+70.04 грн
100+54.47 грн
500+40.79 грн
1000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.