TPN6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=14069&prodName=TPN6R003NL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.07 грн
10+66.93 грн
100+44.75 грн
500+33.07 грн
1000+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V.

Інші пропозиції TPN6R003NL,LQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPN6R003NL,LQ TPN6R003NL,LQ Toshiba TPN6R003NL_datasheet_en_20140218-1915992.pdf MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPN6R003NL,LQ TPN6R003NL_datasheet_en_20140218-1915992.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.