| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.07 грн |
| 10+ | 62.35 грн |
| 100+ | 42.13 грн |
| 500+ | 33.33 грн |
| 1000+ | 30.17 грн |
| 3000+ | 25.67 грн |
| 6000+ | 25.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPN6R003NL,LQ Toshiba
Description: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V.
Інші пропозиції TPN6R003NL,LQ за ціною від 31.04 грн до 113.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPN6R003NL,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADVPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V |
на замовлення 2724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|