Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPN7R006PL,L1Q
TPN7R006PL,L1Q

TPN7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=53588&prodName=TPN7R006PL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TPN7R006PL,L1Q за ціною від 23.62 грн до 68.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN7R006PL,L1Q TPN7R006PL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53588&prodName=TPN7R006PL Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
на замовлення 6446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.04 грн
10+48.34 грн
100+35.53 грн
500+27.97 грн
1000+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R006PL,L1Q TPN7R006PL,L1Q Виробник : Toshiba TPN7R006PL_datasheet_en_20191018-1568623.pdf MOSFETs Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTSON-ADVPD=75WF=1MHZ
на замовлення 24406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.76 грн
10+55.28 грн
100+35.39 грн
500+28.37 грн
1000+24.15 грн
5000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.