TPN7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.55 грн |
| 10+ | 67.88 грн |
| 100+ | 45.31 грн |
| 500+ | 33.38 грн |
| 1000+ | 30.44 грн |
| 2000+ | 27.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPN7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount.
Інші пропозиції TPN7R506NH,L1Q за ціною від 25.53 грн до 117.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPN7R506NH,L1Q | Виробник : Toshiba |
MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET |
на замовлення 27086 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|