Продукція > TOSHIBA > TPN7R506NH,L1Q
TPN7R506NH,L1Q

TPN7R506NH,L1Q Toshiba

293517C399761DA367D9B78A737D7242D58E0DE387642CD598DC4F574EC77EC6.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET
на замовлення 28816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.43 грн
10+62.02 грн
100+38.73 грн
500+32.51 грн
1000+30.62 грн
2500+29.76 грн
5000+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPN7R506NH,L1Q Toshiba

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TPN7R506NH,L1Q за ціною від 30.10 грн до 120.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN7R506NH,L1Q TPN7R506NH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R506NH_datasheet_en_20191030.pdf?did=13874&prodName=TPN7R506NH Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 7370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.08 грн
10+73.07 грн
100+48.77 грн
500+35.93 грн
1000+32.76 грн
2000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R506NH,L1Q TPN7R506NH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R506NH_datasheet_en_20191030.pdf?did=13874&prodName=TPN7R506NH Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.