TPN8R903NL,LQ(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 8900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Verlustleistung: 22W
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Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
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Технічний опис TPN8R903NL,LQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 8900 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 22W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm.
Інші пропозиції TPN8R903NL,LQ(S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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TPN8R903NL,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPN8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 8900 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 22W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm |
на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| TPN8R903NL,LQ(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 8900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
Description: TOSHIBA - TPN8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 8900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)