Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > TPN8R903NL,LQ

TPN8R903NL,LQ

docget.jsp?did=14026&prodName=TPN8R903NL
Код товару: 165086
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції TPN8R903NL,LQ за ціною від 17.54 грн до 71.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPN8R903NL,LQ TPN8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14026&prodName=TPN8R903NL Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NL,LQ TPN8R903NL,LQ Toshiba 336tpn8r903nl_datasheet_en_20140218.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
435+32.34 грн
513+27.41 грн
518+27.14 грн
567+23.93 грн
1000+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 435 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NL,LQ TPN8R903NL,LQ Toshiba 336tpn8r903nl_datasheet_en_20140218.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.69 грн
24+32.49 грн
25+32.34 грн
100+26.44 грн
250+24.23 грн
500+21.27 грн
1000+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NL,LQ TPN8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14026&prodName=TPN8R903NL Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 7081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.58 грн
10+42.84 грн
100+27.99 грн
500+20.25 грн
1000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NL,LQ TPN8R903NL,LQ Toshiba TPN8R903NL_datasheet_en_20140218-1915954.pdf MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V
на замовлення 8492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NL,LQ docget.jsp?did=14026&prodName=TPN8R903NL
TPN8R903NL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NL,LQ 336tpn8r903nl_datasheet_en_20140218.pdf.pdf
TPN8R903NL,LQ
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
435+32.34 грн
513+27.41 грн
518+27.14 грн
567+23.93 грн
1000+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 435 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NL,LQ 336tpn8r903nl_datasheet_en_20140218.pdf.pdf
TPN8R903NL,LQ
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+34.69 грн
24+32.49 грн
25+32.34 грн
100+26.44 грн
250+24.23 грн
500+21.27 грн
1000+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NL,LQ docget.jsp?did=14026&prodName=TPN8R903NL
TPN8R903NL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 7081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.58 грн
10+42.84 грн
100+27.99 грн
500+20.25 грн
1000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NL,LQ TPN8R903NL_datasheet_en_20140218-1915954.pdf
TPN8R903NL,LQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V
на замовлення 8492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.