
TPN8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 23.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPN8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V.
Інші пропозиції TPN8R903NL,LQ за ціною від 15.56 грн до 74.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TPN8R903NL,LQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 2737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TPN8R903NL,LQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 2737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TPN8R903NL,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V |
на замовлення 8122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TPN8R903NL,LQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 11243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
TPN8R903NL,LQ Код товару: 165086
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
TPN8R903NL,LQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |