TPN8R903NL,LQ


TPN8R903NL_datasheet_en_20140218.pdf?did=14026&prodName=TPN8R903NL
Код товару: 165086
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції TPN8R903NL,LQ за ціною від 19.13 грн до 60.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPN8R903NL,LQ TPN8R903NL,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN8R903NL_datasheet_en_20140218.pdf?did=14026&prodName=TPN8R903NL Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NL,LQ TPN8R903NL,LQ Виробник : Toshiba TPN8R903NL_datasheet_en_20140218-1915954.pdf MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V
на замовлення 8492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.21 грн
10+35.02 грн
100+23.14 грн
500+22.79 грн
1000+22.50 грн
3000+19.34 грн
6000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NL,LQ TPN8R903NL,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPN8R903NL_datasheet_en_20140218.pdf?did=14026&prodName=TPN8R903NL Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 8122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.13 грн
10+39.31 грн
100+28.23 грн
500+24.00 грн
1000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.