Продукція > TOSHIBA > TPW1500CNH,L1Q(M
TPW1500CNH,L1Q(M

TPW1500CNH,L1Q(M TOSHIBA

3934844.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW1500CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.013 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+120.19 грн
500+90.88 грн
1000+76.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPW1500CNH,L1Q(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPW1500CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.013 ohm, DSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: DSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPW1500CNH,L1Q(M за ціною від 76.53 грн до 226.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPW1500CNH,L1Q(M TPW1500CNH,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3934844.pdf Description: TOSHIBA - TPW1500CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.013 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+226.65 грн
10+165.70 грн
100+120.19 грн
500+90.88 грн
1000+76.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1500CNH,L1Q(M Виробник : Toshiba tpw1500cnh_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin DSOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+215.72 грн
71+175.07 грн
100+163.60 грн
500+139.68 грн
1000+120.96 грн
2000+112.54 грн
5000+108.97 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1500CNH,L1Q(M Виробник : Toshiba tpw1500cnh_datasheet_en_20191030.pdf Silicon N-channel MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1500CNH,L1Q(M Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8FBD94F7722FC0C4&compId=TPW1500CNH.pdf?ci_sign=287dd5751d5cce1d4e5eea2e0ac4ab66395285ce Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; Idm: 220A; 142W; DSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 142W
Case: DSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.