Продукція > TOSHIBA > TPW1R005PL,L1Q
TPW1R005PL,L1Q

TPW1R005PL,L1Q Toshiba

TPW1R005PL_datasheet_en_20191030-1916491.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
на замовлення 6952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.23 грн
10+199.59 грн
25+165.26 грн
100+126.02 грн
500+104.14 грн
1000+98.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPW1R005PL,L1Q Toshiba

Description: MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-DSOP Advance, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V.

Інші пропозиції TPW1R005PL,L1Q за ціною від 106.97 грн до 285.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPW1R005PL,L1Q TPW1R005PL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56279&prodName=TPW1R005PL Description: MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.70 грн
10+180.87 грн
100+127.08 грн
500+106.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1R005PL,L1Q TPW1R005PL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56279&prodName=TPW1R005PL Description: MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.