Продукція > TOSHIBA > TPW1R306PL,L1Q(M
TPW1R306PL,L1Q(M

TPW1R306PL,L1Q(M TOSHIBA

3622652.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW1R306PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 950 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 950µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+238.45 грн
500+190.25 грн
1000+162.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPW1R306PL,L1Q(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPW1R306PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 950 µohm, DSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 170W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: DSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 950µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00095ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPW1R306PL,L1Q(M за ціною від 162.75 грн до 510.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPW1R306PL,L1Q(M TPW1R306PL,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3622652.pdf Description: TOSHIBA - TPW1R306PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 950 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+510.45 грн
10+325.88 грн
100+238.45 грн
500+190.25 грн
1000+162.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1R306PL,L1Q(M TPW1R306PL,L1Q(M Виробник : Toshiba tpw1r306pl_datasheet_en_20191021.pdf Silicon N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1R306PL,L1Q(M Виробник : TOSHIBA TPW1R306PL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 260A; Idm: 500A; 170W; DSOP8
Case: DSOP8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 260A
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 170W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.