TPW1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 83.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPW1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.29mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-DSOP Advance, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TPW1R306PL,L1Q за ціною від 77.44 грн до 193.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPW1R306PL,L1Q | Виробник : Toshiba |
MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W |
на замовлення 14168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TPW1R306PL,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.29mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V |
на замовлення 13776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|