TPW2R508NH,L1Q(M TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 2000 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 2000 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 84.64 грн |
| 500+ | 66.80 грн |
| 1000+ | 59.34 грн |
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Технічний опис TPW2R508NH,L1Q(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 2000 µohm, DSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142W, Bauform - Transistor: DSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TPW2R508NH,L1Q(M за ціною від 59.34 грн до 186.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
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TPW2R508NH,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 2000 µohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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