Продукція > TOSHIBA > TPW2R508NH,L1Q(M
TPW2R508NH,L1Q(M

TPW2R508NH,L1Q(M TOSHIBA

3934847.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.002 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+108.11 грн
500+82.00 грн
1000+71.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPW2R508NH,L1Q(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.002 ohm, DSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142W, Bauform - Transistor: DSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPW2R508NH,L1Q(M за ціною від 71.45 грн до 223.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPW2R508NH,L1Q(M TPW2R508NH,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3934847.pdf Description: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.002 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+223.65 грн
10+151.03 грн
100+108.11 грн
500+82.00 грн
1000+71.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPW2R508NH,L1Q(M Виробник : Toshiba tpw2r508nh_datasheet_en_20191021.pdf Silicon N Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.