Продукція > TOSHIBA > TPW4R50ANH,L1Q(M
TPW4R50ANH,L1Q(M

TPW4R50ANH,L1Q(M TOSHIBA

3622654.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+125.28 грн
500+94.33 грн
1000+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPW4R50ANH,L1Q(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, DSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 92A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 142W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142W, Bauform - Transistor: DSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPW4R50ANH,L1Q(M за ціною від 80.03 грн до 248.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPW4R50ANH,L1Q(M TPW4R50ANH,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3622654.pdf Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+248.87 грн
10+179.46 грн
100+125.28 грн
500+94.33 грн
1000+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPW4R50ANH,L1Q(M Виробник : Toshiba TPW4R50ANH,L1Q(M
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+80.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPW4R50ANH,L1Q(M Виробник : Toshiba TPW4R50ANH,L1Q(M
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+150.84 грн
100+122.30 грн
108+114.15 грн
200+109.09 грн
500+90.64 грн
1000+81.16 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.