TPWR6003PL,L1Q(M TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPWR6003PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 412 A, 360 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 412A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 360µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 130.08 грн |
| 500+ | 100.91 грн |
| 1000+ | 91.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPWR6003PL,L1Q(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR6003PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 412 A, 360 µohm, DSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 412A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: DSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 360µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TPWR6003PL,L1Q(M за ціною від 91.03 грн до 248.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPWR6003PL,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPWR6003PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 412 A, 360 µohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 412A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 360µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TPWR6003PL,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 412A 8-Pin DSOP Advance Tube |
товару немає в наявності |