TPWR6003PL,L1Q(M TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR6003PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 412 A, 360 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 412A
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 360µohm
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Технічний опис TPWR6003PL,L1Q(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR6003PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 412 A, 360 µohm, DSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 412A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, Verlustleistung: 170W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: DSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 360µohm.
Інші пропозиції TPWR6003PL,L1Q(M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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TPWR6003PL,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPWR6003PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 412 A, 360 µohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 412A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 360µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| TPWR6003PL,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR6003PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 412 A, 360 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 360µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPWR6003PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 412 A, 360 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 360µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)