Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPWR6003PL,L1Q
TPWR6003PL,L1Q

TPWR6003PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPWR6003PL_datasheet_en_20191021.pdf?did=36851&prodName=TPWR6003PL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+104.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPWR6003PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-DSOP Advance, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPWR6003PL,L1Q за ціною від 94.28 грн до 269.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPWR6003PL,L1Q TPWR6003PL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPWR6003PL_datasheet_en_20191021.pdf?did=36851&prodName=TPWR6003PL Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 13345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.31 грн
10+168.44 грн
100+122.97 грн
500+99.49 грн
1000+94.76 грн
2000+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR6003PL,L1Q TPWR6003PL,L1Q Виробник : Toshiba TPWR6003PL_datasheet_en_20191021-2509568.pdf MOSFETs DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 34688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.50 грн
10+191.20 грн
25+148.61 грн
100+128.74 грн
250+118.44 грн
500+111.09 грн
1000+102.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR6003PL,L1Q Виробник : Toshiba tpwr6003pl_datasheet_en_20191021.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 412A 8-Pin DSOP EP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.