TPWR7904PB,L1XHQ(O TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR7904PB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, DSOP Advance L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP Advance L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
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Технічний опис TPWR7904PB,L1XHQ(O TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR7904PB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, DSOP Advance L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 170W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: DSOP Advance L, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm.
Інші пропозиції TPWR7904PB,L1XHQ(O
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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TPWR7904PB,L1XHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPWR7904PB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, DSOP Advance L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 170W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DSOP Advance L Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm |
на замовлення 4180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| TPWR7904PB,L1XHQ(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR7904PB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, DSOP Advance L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP Advance L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
Description: TOSHIBA - TPWR7904PB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, DSOP Advance L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP Advance L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)