Продукція > TOSHIBA > TPWR7904PB,L1XHQ(O
TPWR7904PB,L1XHQ(O

TPWR7904PB,L1XHQ(O TOSHIBA


4015086.pdf
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR7904PB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, DSOP Advance L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP Advance L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
на замовлення 4280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+133.74 грн
500+113.52 грн
1000+90.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPWR7904PB,L1XHQ(O TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPWR7904PB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, DSOP Advance L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 170W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: DSOP Advance L, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm.

Інші пропозиції TPWR7904PB,L1XHQ(O за ціною від 90.02 грн до 282.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPWR7904PB,L1XHQ(O TPWR7904PB,L1XHQ(O Виробник : TOSHIBA 4015086.pdf Description: TOSHIBA - TPWR7904PB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, DSOP Advance L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP Advance L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+282.24 грн
10+192.81 грн
100+133.74 грн
500+113.52 грн
1000+90.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.