Продукція > TOSHIBA > TPWR8004PL,L1Q(M
TPWR8004PL,L1Q(M

TPWR8004PL,L1Q(M TOSHIBA

3622655.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00065 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+126.27 грн
500+104.99 грн
1000+90.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPWR8004PL,L1Q(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00065 ohm, DSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 170W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: DSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPWR8004PL,L1Q(M за ціною від 90.55 грн до 378.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPWR8004PL,L1Q(M TPWR8004PL,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3622655.pdf Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00065 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.24 грн
10+174.96 грн
100+126.27 грн
500+104.99 грн
1000+90.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q(M TPWR8004PL,L1Q(M Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance T/R
на замовлення 4808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+378.23 грн
51+240.97 грн
63+195.22 грн
100+176.48 грн
500+144.34 грн
1000+128.98 грн
2000+125.50 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q(M TPWR8004PL,L1Q(M Виробник : Toshiba tpwr8004pl_datasheet_en_20191021.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.