Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPWR8004PL,L1Q
TPWR8004PL,L1Q

TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=15466&prodName=TPWR8004PL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+104.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-DSOP Advance, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V.

Інші пропозиції TPWR8004PL,L1Q за ціною від 85.58 грн до 204.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPWR8004PL,L1Q TPWR8004PL,L1Q Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+142.45 грн
95+130.90 грн
97+128.39 грн
107+111.89 грн
250+85.58 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q TPWR8004PL,L1Q Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+152.63 грн
10+140.25 грн
25+137.57 грн
100+119.89 грн
250+91.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q TPWR8004PL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15466&prodName=TPWR8004PL Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
на замовлення 8504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.02 грн
10+133.25 грн
100+111.73 грн
500+104.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q TPWR8004PL,L1Q Виробник : Toshiba 1C193F639A7DF1EF9E7A2013B18B4312C7B8D969A52E629D971F9C55B1841C04.pdf MOSFETs N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP
на замовлення 9913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.43 грн
10+144.56 грн
100+105.14 грн
5000+99.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q TPWR8004PL,L1Q Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q Виробник : Toshiba tpwr8004pl_datasheet_en_20191021.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.