TPWR8004PL,L1Q

TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=15466&prodName=TPWR8004PL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+95.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-DSOP Advance, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V.

Інші пропозиції TPWR8004PL,L1Q за ціною від 85.98 грн до 282.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPWR8004PL,L1Q TPWR8004PL,L1Q Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+143.13 грн
95+131.52 грн
97+129.01 грн
107+112.43 грн
250+85.98 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q TPWR8004PL,L1Q Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+153.36 грн
10+140.91 грн
25+138.22 грн
100+120.46 грн
250+92.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q TPWR8004PL,L1Q Виробник : Toshiba 1C193F639A7DF1EF9E7A2013B18B4312C7B8D969A52E629D971F9C55B1841C04.pdf MOSFETs N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP
на замовлення 4656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.19 грн
10+147.01 грн
100+107.17 грн
1000+106.40 грн
5000+97.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q TPWR8004PL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15466&prodName=TPWR8004PL Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
на замовлення 13504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.37 грн
10+178.77 грн
100+125.59 грн
500+105.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q TPWR8004PL,L1Q Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q Виробник : Toshiba tpwr8004pl_datasheet_en_20191021.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.