TPWR8503NL,L1Q(M TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR8503NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 720 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 2.5W
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Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
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Технічний опис TPWR8503NL,L1Q(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR8503NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 720 µohm, DSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: DSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm.
Інші пропозиції TPWR8503NL,L1Q(M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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TPWR8503NL,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPWR8503NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 720 µohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 2.5W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm |
на замовлення 506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TPWR8503NL,L1Q(M |
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Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR8503NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 720 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
Description: TOSHIBA - TPWR8503NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 720 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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euEccn: NLR
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rohsCompliant: Y-EX
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Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)