на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 397.42 грн |
| 10+ | 352.12 грн |
| 100+ | 251.08 грн |
| 500+ | 212.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS10E65F,S1Q Toshiba
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 650V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції TRS10E65F,S1Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS10E65F,S1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2LPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 650V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |