TRS10N120HB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 18A TO-247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 637.34 грн |
| 30+ | 404.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS10N120HB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 18A TO-247, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: 175°C, Supplier Device Package: TO-247, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TRS10N120HB,S1Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS10N120HB,S1Q | Toshiba |
SiC Schottky Diodes RECT 1200V 10A SBD |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TRS10N120HB,S1Q |
|
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes RECT 1200V 10A SBD
SiC Schottky Diodes RECT 1200V 10A SBD
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)