Продукція > TOSHIBA > TRS12A65F,S1Q

TRS12A65F,S1Q Toshiba

docget.jsp?did=66028&prodName=TRS12A65F
Виробник: Toshiba
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+344.39 грн
10+333.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TRS12A65F,S1Q Toshiba

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220F2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 650V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-220F-2L, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.

Інші пропозиції TRS12A65F,S1Q

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TRS12A65F,S1Q TRS12A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=66028&prodName=TRS12A65F Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220F2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220F-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12A65F,S1Q TRS12A65F,S1Q Toshiba D8197D32A8A4AE870E1202397870DA0A6812E9446F0A5064EB3DAD89FCDDEF6A.pdf SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL SIC SKY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12A65F,S1Q Toshiba docget.jsp?did=66028&prodName=TRS12A65F Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12A65F,S1Q docget.jsp?did=66028&prodName=TRS12A65F
TRS12A65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220F2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220F-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12A65F,S1Q D8197D32A8A4AE870E1202397870DA0A6812E9446F0A5064EB3DAD89FCDDEF6A.pdf
TRS12A65F,S1Q
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL SIC SKY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12A65F,S1Q docget.jsp?did=66028&prodName=TRS12A65F
Виробник: Toshiba
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.