TRS12N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 6A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 491.42 грн |
| 30+ | 261.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS12N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 6A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A (DC), Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V.
Інші пропозиції TRS12N65FB,S1Q за ціною від 205.49 грн до 491.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS12N65FB,S1Q | Виробник : Toshiba |
SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=12A |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TRS12N65FB,S1Q Код товару: 188826
Додати до обраних
Обраний товар
|
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні |
товару немає в наявності
|