TRS12N65FB,S1Q
Код товару: 188826
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції TRS12N65FB,S1Q за ціною від 170.45 грн до 452.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS12N65FB,S1Q | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 6A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A (DC) Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
TRS12N65FB,S1Q | Toshiba |
SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=12A |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TRS12N65FB,S1Q | Toshiba |
TRS12N65FB,S1Q |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TRS12N65FB,S1Q |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 6A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 6A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 319.63 грн |
| 30+ | 170.45 грн |
| TRS12N65FB,S1Q |
|
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=12A
SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=12A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TRS12N65FB,S1Q |
|
Виробник: Toshiba
TRS12N65FB,S1Q
TRS12N65FB,S1Q
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 452.56 грн |
| 10+ | 383.83 грн |
| 100+ | 365.24 грн |