TRS12N65FB,S1Q
Код товару: 188826
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції TRS12N65FB,S1Q за ціною від 192.45 грн до 494.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS12N65FB,S1Q | Виробник : Toshiba |
SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=12A |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TRS12N65FB,S1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 6A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A (DC) Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|