TRS12V65H,LQ(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TRS12V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 30 A, 33 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 33nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TRS12V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 30 A, 33 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 33nC
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Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
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Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 203.69 грн |
| 500+ | 181.09 грн |
| 1000+ | 166.42 грн |
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Технічний опис TRS12V65H,LQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TRS12V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 30 A, 33 nC, DFN, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DFN, Kapazitive Gesamtladung: 33nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TRS12V65H,LQ(S за ціною від 166.42 грн до 355.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
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TRS12V65H,LQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TRS12V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 30 A, 33 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 33nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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