TRS12V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 SIC-SBD 650V 12A DFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 112.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS12V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 12A DFN8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V.
Інші пропозиції TRS12V65H,LQ за ціною від 102.11 грн до 313.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS12V65H,LQ | Виробник : Toshiba |
Schottky Diodes & Rectifiers G3 SiC-SBD 650V 12A DFN8x8 |
на замовлення 4836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TRS12V65H,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: G3 SIC-SBD 650V 12A DFN8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V |
на замовлення 4492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|