TRS16N65FB,S1Q Toshiba
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 553.98 грн |
| 10+ | 457.45 грн |
| 120+ | 331.73 грн |
| 510+ | 292.83 грн |
| 1020+ | 263.47 грн |
| 2520+ | 251.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS16N65FB,S1Q Toshiba
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 8A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC), Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції TRS16N65FB,S1Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS16N65FB,S1Q | Виробник : Toshiba |
 Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
TRS16N65FB,S1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 8A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC) Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |