на замовлення 60 шт:
термін постачання 49-58 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 966.44 грн |
| 10+ | 664.14 грн |
| 25+ | 524.54 грн |
| 100+ | 436.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS20H120H,S1Q Toshiba
Description: 1200V 3RDGEN SIC-SBD 20A TO-247-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 2070pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 61A, Supplier Device Package: TO-247-2L, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції TRS20H120H,S1Q за ціною від 537.51 грн до 941.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TRS20H120H,S1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: 1200V 3RDGEN SIC-SBD 20A TO-247-Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 2070pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 61A Supplier Device Package: TO-247-2L Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 1200 V |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|