TRS20H120H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 1200V 61A TO2472L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2L
Current - Average Rectified (Io): 61A
Capacitance @ Vr, F: 2070pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS20H120H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 1200V 61A TO2472L, Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: 175°C, Supplier Device Package: TO-247-2L, Current - Average Rectified (Io): 61A, Capacitance @ Vr, F: 2070pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TRS20H120H,S1Q за ціною від 573.15 грн до 1008.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS20H120H,S1Q | Toshiba |
SiC Schottky Diodes RECT 1200V 20A SBD |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| TRS20H120H,S1Q |
|
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes RECT 1200V 20A SBD
SiC Schottky Diodes RECT 1200V 20A SBD
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1008.35 грн |
| 10+ | 875.87 грн |
| 120+ | 658.25 грн |
| 270+ | 573.15 грн |